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基于三层速率方程的单量子阱激光器电路模型: 2011年; 量子阱激光器以其优良的性能,成为光通信领域的一种重要光源。在量子阱激光器模型中引入中间过渡态,能更完整地描述阱中载流子的输运过程。对基于三层速率方程的单量子阱激光器电路模型进行模拟分析,探讨了过渡态在载流子输运过程中的作用。其模型仿真的结果对器件设计及不同模型的选用具有十分重要的参考价值。; 张鹏程; 关键词：单量子阱过渡态速率方程电路模型

1.3μm AlInGaAs Strained Single Quantum Well Laser Diodes with High Characteristic Temperature of 200K被引量：1: 2007年; A high characteristic temperature （T0） of 200K from a 1.3μm AlInGaAs/AlInAs single-quantum-well laser diode with the asymmetric waveguide layer structure under CW operation at 20 to 80℃ was obtained,which is the best result reported in the laser diodes （LDs） of the same active materials structure and emitting wave- length. AllnGaAs as an active layer,therefore,is very promising for the fabrication of long-wavelength LDs with excellent high-temperature performance. It is found that the asymmetric waveguide layer structure can decrease optical absorption and improve the high-temperature performance and catastrophic optical damage threshold of LDs.; 王玉霞刘春玲芦鹏王勇曲轶刘国军

808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究被引量：10: 2006年; 从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·; 张永明钟景昌路国光秦莉赵英杰郝永芹姜晓光; 关键词：单量子阱激光器 NM

InGaAsP单量子阱激光器热特性研究: 2005年; 从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.; 张永明钟景昌路国光秦莉; 关键词：单量子阱激光器 INGAASP 热特性

808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性被引量：1: 2005年; 采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激射波长的温度依赖性.实验表明,激射波长的漂移系数dλ/dT是特征温度T0的函数.T0越高,激射波长的温度依赖性越大.特征温度T0与透明电流Itr下的特征温度TItr相等时,激射波长的漂移系数dλ/dT达到最大值,该值由发热诱使带隙窄化dλg/dT决定.解决高特征温度T0与小的dλ/dT矛盾的一种可能是考虑温度不依赖的漏电流.; 张永明钟景昌路国光秦莉赵英杰郝永芹姜晓光; 关键词：单量子阱激光器 INGAASP 温度特性

941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：11: 2004年; 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .; 辛国锋陈国鹰花吉珍赵润康志龙冯荣珠安振峰; 关键词：薛定谔方程应变量子阱量子阱激光器

InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究被引量：2: 2003年; 利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。; 王玉霞王晓华李林赵英杰芦鹏张晶; 关键词：单量子阱激光器 MOCVD

高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器: 2002年; 应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。; 李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德; 关键词：梯度折射率单量子阱激光器砷化镓 GAAS/ALGAAS 镓铝砷化合物

单量子阱激光器的Langivin噪声分析(英文)被引量：1: 2001年; 本文通过在速率方程中加入 L angivin噪声项和相位方程 ,以定量分析量子阱激光器 (QW- L D)噪声特性。这样 ,能系统地表征量子噪声 (尤其是影响线宽等参数的相位噪声 )特性。我们对单量子阱激光器的噪声特性进行了模拟分析 ,并得到了有用的结果 ,如相位噪声谱和激射特性。我们发现在感兴趣的频域内有较大的噪声。; 阎敏辉陈建平李欣张励薛健; 关键词：单量子阱激光器量子噪声半导体激光器

InGaAs/AlGaAs单量子阱激光器低阈值激射: 了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱.在300K下2000μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200A/cm<'2>.在250K到40...; 宁永强刘云王立军高欣Peter SmowtonPeter Blood; 关键词：INGAAS/ALGAAS 单量子阱光增益半导体激光器

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