搜索到1622篇“ 单片微波集成电路“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
单片微波集成电路
本发明提供一种单片微波集成电路。将高电阻率(例如≥100Ohm-cm)半导体基板和较低电阻电感器用于IC，能够避免或减轻微波频率下操作时与单片集成电路(IC)的无源构件相关联的低Q。这消除了来自置于基板上的平面电感器和互...
保罗·W·桑德斯韦恩·R·布格尔翠·B·达奥乔尔·E·基斯迈克尔·F·彼得拉斯罗伯特·A·普赖尔任小伟
单片微波集成电路
本发明提供一种单片微波集成电路。将高电阻率(例如≥100Ohm-cm)半导体基板和较低电阻电感器用于IC，能够避免或减轻微波频率下操作时与单片集成电路(IC)的无源构件相关联的低Q。这消除了来自置于基板上的平面电感器和互...
保罗·W·桑德斯韦恩·R·布格尔翠·B·达奥乔尔·E·基斯迈克尔·F·彼得拉斯罗伯特·A·普赖尔任小伟
多级单片微波集成电路功率放大器
本发明提供一种多级单片微波集成电路功率放大器，包括：接收射频信号的射频输入端；放大电路模块，包括至少两个级联连接的晶体管放大电路子模块，用于对射频信号进行功率的级联放大和传输；偏置滤波电路，其输出端口与放大电路模块的每一...
刘亮亮 赵涤燹 尤肖虎
具有基于上下文编程的雷达单片微波集成电路
本公开涉及具有基于上下文编程的雷达单片微波集成电路。提供了一种配置雷达单片微波集成电路(MMIC)并且执行被激活的可下载编程上下文的命令的方法。该方法包括接收并且存储从外部控制器顺序地接收到的多个可下载编程上下文，其中从...
P·特里帕蒂A·多姆
具有增强模式和耗尽模式晶体管二者的单片微波集成电路
一种基于氮化镓的单片微波集成电路包括基板(110)、基板上的沟道层(130)和沟道层上的阻挡层(140)。在阻挡层的顶表面中提供凹部(412)。在阻挡层上与沟道层相对地提供第一栅电极、第一源电极和漏电极，其中，第一栅电极...
S·斯瑞拉姆J·高J·费舍S·什帕德
用于氮化镓材料制作的单片微波集成电路中的功率放大器
本发明公开了一种用于氮化镓材料制作的单片微波集成电路中的功率放大器，包括输入端，用于输入射频信号；栅极偏置电路，用于对所述功率放大器中的晶体管栅极进行馈电，且将直流信号完整传输至栅极；漏极偏置电路，用于对所述功率放大器中...
于哲刘学利
一种单片微波集成电路中静电防护结构
本实用新型提供了一种单片微波集成电路中静电防护结构，涉及集成电路技术领域，包括外壳，设置于外壳内底板的集成电路，设置于外壳内部的除静电盒，及设置于外壳内侧板与除静电盒之间用于对除静电盒进行固定的卡合组件。该种结构通过对卡...
周启华郭书文
一种单片微波集成电路的晶圆级封装方法
本申请涉及半导体封装技术领域，揭示了一种单片微波集成电路的晶圆级封装方法。所述方法包括：获取重构晶圆，去除重构晶圆的载体，并在所述重构晶圆上表面的有源电路之外的部分制作第一线路层；在所述第一线路层的上表面制作第二线路层，...
于新元杨云春
半导体装置、制造方法、封装件以及单片微波集成电路
本公开提供能提高耐湿性的半导体装置、单片微波集成电路、半导体封装件以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有：半导体基板；半导体元件，形成于半导体基板之上；第一绝缘膜，覆盖半导体元件；第二绝缘膜，形成于第一绝缘膜之上；以及...
松田庆太
一种超宽带可重构功率放大器单片微波集成电路
本发明公开了一种超宽带可重构功率放大器单片微波集成电路，包括控制功放单元、平衡功放单元、超宽带移相网络以及第一～第三超宽带耦合器。所述平衡功放单元包括镜像的两个功放单元，控制功放单元的输出功率对平衡功放单元中的两个功放单...
陶洪琪王光年王嘉文闫俊达庄园
加载更多 ∨

相关作者

廖小平
作品数：672被引量：0H指数：0
供职机构：东南大学
研究主题：微波功率传感器 漏电流 硅基 悬臂梁 功率传感器
吴洪江
作品数：114被引量：190H指数：7
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路
张志强
作品数：331被引量：779H指数：14
供职机构：东南大学
研究主题：微波功率 微波功率传感器 砷化镓衬底 微机械 热电堆
韩磊
作品数：202被引量：30H指数：3
供职机构：东南大学
研究主题：共面波导 微波功率 微波功率传感器 微机械开关 地线
黄晓东
作品数：148被引量：75H指数：6
供职机构：东南大学
研究主题：MEMS 栅氧化层 衬底 压敏电阻 微波功率