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分子束外延技术被引量：5: 1995年; 分子束外延(MBE)是一项外延薄膜生长技术,通过把由热蒸发产生的原子或分子束射到被加热的清洁的衬底上而生成薄膜。这种技术的发展是为了满足在电子器件工艺中越来越高的要求,即对掺杂分布可以精确控制的趋薄层平面结构的要求。利用分子束外延技术。; 杨左宸; 关键词：分子束外延技术热蒸发外延层晶格失配

一种利用分子束外延技术在同一衬底上制备分立薄膜的方法: 本发明提供一种利用分子束外延技术在同一衬底上制备分立薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域，该方法原理是使用掩模版遮挡部分衬底，将蒸发源加热到一定温度后，分子束流喷射沉积在Si衬底的部分区域上，该区域薄膜生长结束后，通过旋转衬...; 吴传易陈飞韩佳王锦陈晨

基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究: 2025年; 本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备.; 马玉麟郭祥郭祥; 关键词：分子束外延生长温度

基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究: 2025年; 本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.; 马玉麟郭祥郭祥; 关键词：MBE

一种利用分子束外延技术制备LaSi<Sub>2</Sub>(00l)单晶薄膜的方法: 本发明提供一种利用分子束外延技术制备LaSi<Sub>2</Sub>(00l)单晶薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域，该方法原理是将金属镧(La)蒸发源加热到一定温度后，La分子束流喷射沉积在加热至一定温度的Si(100)...; 陈飞吴传易韩佳王锦陈晨

基于分子束外延技术的高品质确定性量子光源研究: 科学的发展伴随着研究范式的转变,全新范式的出现也推动了科学的进一步发展,并会诞生众多的应用。在对量子纠缠与Bell不等式进行检验的过程中,人类逐步提升了对微观粒子的操纵能力并发展了众多技术,从而推动了量子力学的发展,同时...; 刘润泽; 关键词：单光子源分子束外延量子干涉

CdSeTe分子束外延技术研究: 2023年; 对HgCdTe红外探测器CdSexTe1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSexTe1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSexTe1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(JSe+JTe)/JCd和JSe/(JSe+JTe)的变化。JSe/(JSe+JTe)值较小时,Se组分较难融入外延层;JSe/(JSe+JTe)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若JSe/(JSe+JTe)值较小,则Se组分增长趋势相对较易控制。当JSe/(JSe+JTe)值一定时,Se组分随着(JSe+JTe)/JCd的减小而增大。Se组分变化的突增点随(JSe+JTe)/JCd值的减小而增大。本文可为高性能HgCdTe红外探测器的制备提供一定的参考。; 何温王丛高达邢伟荣柏伟杨海燕折伟林; 关键词：分子束外延

基于分子束外延技术的自成结光电探测器及其制备方法: 本发明提供一种基于分子束外延技术的自成结半导体光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件领域。本发明制备的光电探测器采用非对称PIN浅结结构，将Sb原子在分子束外延设备腔体内采用高温原位掺杂的方法掺杂进Ge薄膜中，将Ge改...; 李晨光张岱南唐坤张怀武李明明

基于分子束外延技术的半导体生长设备: 本实用新型公开了一种基于分子束外延技术的半导体生长设备。所述半导体生长设备包括真空腔室以及旋转单元和倾斜调节单元；所述旋转单元包括旋转台、旋转机构和基片，所述旋转机构包括第一驱动电机和样品托，所述基片设置在所述样品托上，...; 杨钢薛聪董建荣王庶民

一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法: 本发明提供一种利用分子束外延技术制备P型氧化锌薄膜的方法，属于薄膜制备技术领域。该方法的是将金属锌加热蒸发成气态，氧气通过射频等离子体原子源裂解成活性原子与分子混合状态，掺杂所用方法与氧气相同，锌原子束、氧气活性原子与分...; 李炳辉申德振谢修华张振中刘可为陈星刘雷李衍爽

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