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内量子效率
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
提高
内
量子效率
的发光二极管外延片制备方法及外延片
本公开公开了提高
内
量子效率
的发光二极管外延片制备方法及外延片,属于发光二极管制作领域。InGaN阱层的第一阶段的生长过程中,使铟源流量线性增加至第一铟源阈值,镓源由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值,可以在短时间且较薄的...
尚玉平
陆香花
肖云飞
李鹏
一种高
内
量子效率
的光电芯片结构及其设计方法
本发明公开了一种高
内
量子效率
的光电芯片结构及其设计方法,设计半导体芯片技术领域;本方案在
量子
垒层厚度和电子阻挡层厚度保持恒定情形下,对部分或全部
量子
垒层中替换插入第一替换层,在电子阻挡层中替换插入第二替换层;以提高了
量子
...
王保雄
王越
马辉
刘奇
赵若阳
一种成像探测器像素
内
量子效率
标校的方法
本发明公开了一种成像探测器像素
内
量子效率
标校的方法,首先建立成像探测器灰度值I和光子数S之间的关系式;将成像探测器表面每个像元均匀划分为k×k个有序标记的微像元,对应的曝光时间
内
累积接受到的光子数记为S(i,j);建立成...
张泽
薛鹤猛
商明涛
于闳飞
提升
内
量子效率
的LED外延
量子
阱生长方法
本申请公开了一种提升
内
量子效率
的LED外延
量子
阱生长方法,依次包括:处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多
量子
阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降...
徐平
夏玺华
改善
内
量子效率
的发光二极管和显示面板
本公开提供了一种改善
内
量子效率
的发光二极管和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层;有源层包括从n型半导体层至p型半导体层的方向上依次层叠的第一有源子层、第二有源子...
宋木
王世俊
李彤
一种基于像素
内
量子效率
测量的超采样成像方法
本发明公开了一种基于像素
内
量子效率
测量的超采样成像方法,通过成像探测器像素
内
光场响应模型将探测器的单个像素分隔为k<Sup>2</Sup>个微像元,并建立微像元对应的光场与像素灰度值之间的函数关系;对于成像探测器的像素点...
张泽
商明涛
薛鹤猛
于闳飞
一种提高
内
量子效率
的LED正极性外延结构及其制备方法
本发明涉及一种提高
内
量子效率
的LED正极性外延结构及其制备方法,属于发光二极管技术领域,包括衬底和衬底上依次设置的buffer层、DBR层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层和P型电流扩展层;有源层为...
刘春华
吴德华
陈康
王振华
改善
内
量子效率
的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种改善
内
量子效率
的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括n型层和p型层,以及设置在所述n型层和所述p型层之间的有源层,所述有源层包括依次层叠在所述n型层上的第一有源层、第二有源层和...
洪威威
尚玉平
陆香花
肖云飞
梅劲
改善
内
量子效率
的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种改善
内
量子效率
的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光二极管包括层叠的衬底、n型层、多
量子
阱层、电子阻挡层和p型层;所述电子阻挡层包括层叠在所述多
量子
阱层上的第一电子阻挡层、...
肖和平
汪洋
黄彪彪
内
量子效率
高的LED外延片及其制备方法、LED芯片
本发明公开了一种
内
量子效率
高的LED外延片及其制备方法、LED芯片,该外延片包括衬底,依次层叠于衬底之上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层与P型半导体层;其中,在N型半导体层
内
部还设有N型插入层,或者在N型半导体层...
刘春杨
吕蒙普
胡加辉
金从龙
顾伟
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