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提高量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片
本公开公开了提高量子效率的发光二极管外延片制备方法及外延片,属于发光二极管制作领域。InGaN阱层的第一阶段的生长过程中,使铟源流量线性增加至第一铟源阈值,镓源由第一镓源阈值线性降低至第二镓源阈值,可以在短时间且较薄的...
尚玉平陆香花肖云飞李鹏
一种高量子效率的光电芯片结构及其设计方法
本发明公开了一种高量子效率的光电芯片结构及其设计方法,设计半导体芯片技术领域;本方案在量子垒层厚度和电子阻挡层厚度保持恒定情形下,对部分或全部量子垒层中替换插入第一替换层,在电子阻挡层中替换插入第二替换层;以提高了量子...
王保雄王越马辉刘奇赵若阳
一种成像探测器像素量子效率标校的方法
本发明公开了一种成像探测器像素量子效率标校的方法,首先建立成像探测器灰度值I和光子数S之间的关系式;将成像探测器表面每个像元均匀划分为k×k个有序标记的微像元,对应的曝光时间累积接受到的光子数记为S(i,j);建立成...
张泽薛鹤猛商明涛于闳飞
提升量子效率的LED外延量子阱生长方法
本申请公开了一种提升量子效率的LED外延量子阱生长方法,依次包括:处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层,降...
徐平夏玺华
改善量子效率的发光二极管和显示面板
本公开提供了一种改善量子效率的发光二极管和显示面板,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层;有源层包括从n型半导体层至p型半导体层的方向上依次层叠的第一有源子层、第二有源子...
宋木王世俊李彤
一种基于像素量子效率测量的超采样成像方法
本发明公开了一种基于像素量子效率测量的超采样成像方法,通过成像探测器像素光场响应模型将探测器的单个像素分隔为k<Sup>2</Sup>个微像元,并建立微像元对应的光场与像素灰度值之间的函数关系;对于成像探测器的像素点...
张泽商明涛薛鹤猛于闳飞
一种提高量子效率的LED正极性外延结构及其制备方法
本发明涉及一种提高量子效率的LED正极性外延结构及其制备方法,属于发光二极管技术领域,包括衬底和衬底上依次设置的buffer层、DBR层、N型限制层、N型阻挡层、有源层、P型阻挡层、P型限制层和P型电流扩展层;有源层为...
刘春华吴德华陈康王振华
改善量子效率的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种改善量子效率的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括n型层和p型层,以及设置在所述n型层和所述p型层之间的有源层,所述有源层包括依次层叠在所述n型层上的第一有源层、第二有源层和...
洪威威尚玉平陆香花肖云飞梅劲
改善量子效率的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种改善量子效率的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光二极管包括层叠的衬底、n型层、多量子阱层、电子阻挡层和p型层;所述电子阻挡层包括层叠在所述多量子阱层上的第一电子阻挡层、...
肖和平汪洋黄彪彪
量子效率高的LED外延片及其制备方法、LED芯片
本发明公开了一种量子效率高的LED外延片及其制备方法、LED芯片,该外延片包括衬底,依次层叠于衬底之上的N型半导体层、有源区发光层、电子阻挡层与P型半导体层;其中,在N型半导体层部还设有N型插入层,或者在N型半导体层...
刘春杨吕蒙普胡加辉金从龙顾伟

相关作者

许并社
作品数:1,373被引量:2,422H指数:20
供职机构:太原理工大学
研究主题:洋葱状富勒烯 镁合金 碳微球 性能研究 力学性能
何苗
作品数:287被引量:0H指数:0
供职机构:广东工业大学
研究主题:电子阻挡层 控制系统 负极材料 复合材料 多量子阱
王军喜
作品数:665被引量:267H指数:8
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 氮化物
张勇辉
作品数:91被引量:6H指数:1
供职机构:河北工业大学
研究主题:发光二极管 深紫外 多量子阱 重掺杂 表面势垒
周圣军
作品数:157被引量:37H指数:4
供职机构:武汉大学
研究主题:LED芯片 光提取效率 倒装 半导体发光器件 多量子阱