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共振 隧 穿 二极管 被引量：19 2002年 共振 隧 穿 二极管 ,室温电流峰谷比达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz。本文对RTD的设计、研制过程、参数和特性测试进行了系统的分析和说明。关键词：共振隧穿二极管 量子效应 负阻特性 RTD 振荡频率 一种集成背腔贴片天线的太赫兹共振 隧 穿 二极管 辐射源 共振 隧 穿 二极管 辐射源，属于太赫兹无线收发技术领域，包括衬底，以及位于衬底上方的RTD、背腔贴片天线、GSG直流偏置线和两个稳定电阻；背腔贴片天线包括背腔底部参考地、背腔金属侧壁、背...共振 隧 穿 二极管 及其制作方法共振 隧 穿 二极管 ，该共振 隧 穿 二极管 包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振 隧 穿 二极管 的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层...一种共振 隧 穿 二极管 及其制作方法 共振 隧 穿 二极管 ，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振 隧 穿 二...同质外延氮化镓共振 隧 穿 二极管 研究 共振 隧 穿 二极管 是实现紧凑型固态太赫兹辐射源的理想电子器件之一,但受限于高质量氮化镓量子阱材料外延难度,目前尚无氮化镓共振 隧 穿 二极管 振荡电路的研究报道。本文从提高氮化镓共振 隧 穿 二极管 微分负阻稳定性角度,介绍了同质外延...关键词：氮化镓 共振隧穿二极管 面向太赫兹通信的共振 隧 穿 二极管 研究 共振 隧 穿 二极管 (RTD,resonant tunneling diode)作为一种基于量子隧 穿 效应的微纳半导体器件,利用其...关键词：共振隧穿二极管 太赫兹共振 隧 穿 二极管 的理论和实验研究 关键词：共振隧穿二极管 空气桥 一种基于悬空互连结构的共振 隧 穿 二极管 器件 共振 隧 穿 二极管 器件，属于半导体器件和太赫兹技术领域。该共振 隧 穿 二极管 器件结构包括衬底；共振 隧 穿 二极管 外延层；发射极金属电极；集电极金属电极引线；基于悬空互连结构的发射极金属电极引线；以及...基于共振 隧 穿 二极管 的太赫兹技术研究进展 被引量：2 2024年 共振 隧 穿 二极管 (Resonant Tunneling Diode, RTD)是一种基于量子隧 穿 效应的半导体器件,同时具有非线性特性和负阻特性,通过改变偏置电压可以作为太赫兹源和太赫兹探测器,在未来6G技术中通信感知一体化方面具有优势。简要总结了基于RTD实现的器件的工作原理,对基于RTD实现的太赫兹源和太赫兹探测器、太赫兹通信系统以及太赫兹雷达系统等太赫兹技术的研究进展进行介绍,并对当前存在的技术挑战和未来的发展方向进行探讨。基于RTD的太赫兹技术凭借其突出的优势,将成为未来电子器件领域重要的发展方向。关键词：共振隧穿二极管 基于共振 隧 穿 二极管 的140~220 GHz检波器设计 2024年 关键词：共振隧穿二极管 检波器 太赫兹
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