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全加器和行波进位加法器
本发明涉及全加器和行波进位加法器。全加器包括：与非逻辑电路，被配置为接收第一输入和第二输入，并产生第一中间结果；或与非逻辑电路，被配置为接收第一输入、第二输入和与非逻辑电路的第一中间结果，并产生第二中间结果；第一或非逻辑...
范志军孔维新于东杨作兴
基于FeFET的完全非易失全加器设计
2025年
铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field-Effect Transistor,FeFET)的滞回特性使其既可充当开关又可充当非易失性存储元件,常被应用于存内逻辑电路设计.然而现有基于FeFET的存内逻辑电路设计存在计算时需要访问部分操作数,输出需要额外的锁存器存储的问题.为此,利用FeFET构建了具有存储所有输入与输出,计算时无须访问操作数的完全非易失全加器,所设计的全加器还可以提供双轨输出信号.使用FeFET模型验证了设计功能的正确性,且与其他非易失性器件设计的全加器相比,该设计使用的器件少、延时短.
王凯玥查晓婧王伦耀夏银水
关键词：铁电场效应晶体管非易失性全加器
一种集成二氧化钒的太赫兹超表面全加器
本发明公开了一种基于二氧化钒的太赫兹电控超表面全加器，其由太赫兹反射器、太赫兹分束器以及集成二氧化钒的电控超表面调制器若干组成。其中每个调制器单元均包含：介质板、图案化二氧化钒薄膜、T形和倒T形金箔带。当给调制器一侧的T...
熊望冉佳谭菲胡晗田小龙
全加器
本发明实施例提供一种全加器，包括：第一异或电路、第二异或电路、进位电路；第一异或电路用于接入第一求和信号和第二求和信号，第一异或电路包括两组比较电路；第一求和信号的反向信号和第二求和信号分别接入第二组比较电路的两个输入端...
请求不公布姓名 请求不公布姓名
全加器电路
提供了全加器电路。所述全加器电路包括：和生成电路，所述和生成电路被配置为生成和输出；以及进位输出生成电路，所述进位输出生成电路被配置为生成进位输出。所述和生成电路包括第一XNOR门和第二XNOR门，XNOR即异或非。所述...
索拉布·尚卡尔·宗德德博乔蒂·班纳吉阿布舍克·戈什拉格哈文德拉·希罗德卡拉克什·迪姆里亚沙斯维尼·HG
CMOS全加器和多位全加器
本申请公开了一种CMOS全加器，其包括一个以上PMOS场效应管、一个以上NMOS场效应管以及连接线路。连接线路用于连接所述一个以上PMOS场效应管和所述一个以上NMOS场效应管。连接线路被配置为降低一个以上PMOS场效应...
于轲鱼江华陈志强
一种存内计算近似全加器
本发明公开了一种存内计算近似全加器，包括异或门电路，用于接收本位输入信号A和本位输入信号B并进行异或运算，生成异或运算结果；非门电路，用于接收进位输入信号CI并进行非运算，生成非运算结果；第一与门电路，用于接收异或运算结...
周玉梅 李晓峰 乔树山 尚德龙
一种存内计算近似全加器
本发明公开了一种存内计算近似全加器，包括异或门电路，用于接收本位输入信号A和本位输入信号B并进行异或运算，生成异或运算结果；非门电路，用于接收进位输入信号CI并进行非运算，生成非运算结果；第一与门电路，用于接收异或运算结...
周玉梅 李晓峰 乔树山 尚德龙
基于H桥门的全加器电路
本发明公开了一种基于H桥门的全加器电路，包括相同的两个H桥门，H桥门包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管这10个M...
陈鑫辉 林泽乾 岑业 苏瑞芳 汤洽
一种基于基本门电路的低功耗全加器
本实用新型公开了一种基于基本门电路的低功耗全加器，属于数字电子技术领域，用于解决现有的全加器电路不能同时兼顾高运算精度、低制作成本以及低功耗的技术问题。所述全加器包括全加器逻辑电路，全加器逻辑电路包括第一输入端、第二输入...
李志恒杨旸
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研究主题：ESD保护电路 反相器 电路 静电放电保护 灵敏放大器
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