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亚 阈值电流 减少电路开关和相关设备及方法 公开亚 阈值电流 减少电路(SCRC)开关和相关设备及方法。设备包含电连接于电力供应线与电力接收线之间的第一组SCRC开关和第二组SCRC开关。所述第一组SCRC开关经配置以在第一操作模式和第二操作模式中将所述电力供应线电连... 芝多义广 江户幸子 中西琢也 何源 赤松宏亚 阈值电流 减小电路开关以及相关设备及方法 本发明公开亚 阈值电流 减小电路(SCRC)开关以及相关设备及方法。一种设备包含电连接于电力供应线与电力接收线之间的第一组SCRC开关及第二组SCRC开关。所述第一组SCRC开关经配置以在第一操作模式及第二操作模式中将所述电... 竹岛伍基于亚 阈值电流 阵列的低成本物理不可克隆电路设计 2023年 物理不可克隆函数(PUF)能够提取出集成电路在加工过程中的工艺误差并将其转化为安全认证的密钥。由于常用于资源及功耗都受限的场合,实用化的PUF电路需要极高的硬件利用效率及较强的抗攻击性能。该文提出一种基于亚 阈值电流 阵列放电方案的低成本PUF电路设计方案。亚 阈值电流 阵列的电流 具有极高的非线性特点,通过引入栅控开关和交叉耦合的结构,能够显著提升PUF电路的唯一性和稳定性。此外,通过引入亚 阈值电流 的设计可以极大地提高PUF的安全性,降低传统攻击手段的建模攻击。为了提升芯片的资源利用率,通过详细紧凑的版图设计和优化,该文提出的PUF单元面积仅为377.4 μm^(2),使得其特别适合物联网等低功耗低成本应用场景。仿真结果表明,该文所提亚 阈值 电路放电阵列PUF具有良好的唯一性和稳定性,无需校准电路的标准温度电压下唯一性为48.85%;在温度范围–20~80°C,电压变动范围为0.9~1.3V情况下,其可靠性达到了99.47%。 崔益军 张虎 闫成刚 王成华 刘伟强关键词:硬件安全 亚 阈值电流 减少电路晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备 公开亚 阈值电流 减少电路SCRC晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备。一种设备包含上拉SCRC晶体管、下拉SCRC晶体管和电荷转移电路。所述上拉SCRC晶体管包含上拉栅极端子。所述下拉SCRC晶体管包含下拉栅极端子。所... 赤松宏 何源 石川透亚 阈值电流 减少电路晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备 公开亚 阈值电流 减少电路SCRC晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备。一种设备包含上拉SCRC晶体管、下拉SCRC晶体管和电荷转移电路。所述上拉SCRC晶体管包含上拉栅极端子。所述下拉SCRC晶体管包含下拉栅极端子。所... 赤松宏 何源 石川透对称三材料双栅应变硅MOSFET亚 阈值电流 与亚 阈值 斜率解析模型 被引量:1 2018年 基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚 阈值 区电流 密度方程的基础上,提出了亚 阈值电流 与亚 阈值 斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫Si Ge层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚 阈值 性能的影响,并对亚 阈值 性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好. 辛艳辉 袁合才 辛洋关键词:亚阈值电流 应变硅 一种基于亚 阈值电流 的磁畴壁移动控制方法及其电路 本发明公布了一种基于亚 阈值电流 的磁畴壁移动控制方法及其电路,该方法将小于阈值 的电流 称为亚 阈值电流 ,通过所述亚 阈值电流 推动磁畴壁在锚定区域外移动,作为控制磁畴壁移动位置的补充;包括单步移动模式和多步移动模式,依次包括步骤:... 孙广宇 张超 张宪 张炜其GaN HFET中的亚 阈值电流 和穿通 被引量:4 2016年 通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟道的电场梯度和缓冲层沟道阱,发现了新的电场梯度引起的能带下弯(Electric field gradient induced band bowing,EFGIBB)效应。从漏电压引起的电势下降(Drain-induced barrier lowering,DIBL)和EFGIBB两效应出发建立起新的穿通阱模型,由此解释了实验中观察到的各类阈值 电压负移、亚 阈值电流 和穿通等沟道夹断以后的行为,发现了由强负栅压引起的新穿通现象。最后讨论了新穿通行为对器件性能的影响,探索优化设计器件结构,改善器件性能的新途径。 薛舫时关键词:亚阈值电流 一种基于亚 阈值电流 的磁畴壁移动控制方法及其电路 本发明公布了一种基于亚 阈值电流 的磁畴壁移动控制方法及其电路,该方法将小于阈值 的电流 称为亚 阈值电流 ,通过所述亚 阈值电流 推动磁畴壁在锚定区域外移动,作为控制磁畴壁移动位置的补充;包括单步移动模式和多步移动模式,依次包括步骤:... 张超 孙广宇 张宪 张炜其一种具有亚 阈值电流 补偿的电流 模带隙基准电压源 一种具有亚 阈值电流 补偿的电流 模带隙基准电压源,在现有带隙基准核心电路的基础上、增设了第一MOS管亚 阈值电流 补偿电路和第二MOS管亚 阈值电流 补偿电路,通过两个亚 阈值电流 补偿电路对基准电流 补偿NMOS管和PMOS管的亚 阈值 电... 孙伟锋 黄泽祥 张允武 祝靖 陆生礼 时龙兴
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谢倩 作品数:60 被引量:0 H指数:0 供职机构:电子科技大学 研究主题:射频集成电路 宽带 电感 数模混合电路 放大器 王政 作品数:74 被引量:4 H指数:1 供职机构:电子科技大学 研究主题:射频集成电路 宽带 电感 数模混合电路 放大器 贺章擎 作品数:112 被引量:91 H指数:5 供职机构:湖北工业大学 研究主题:PUF 可靠性 多路选择器 仲裁器 环形振荡器 李天阳 作品数:18 被引量:26 H指数:3 供职机构:中国电子科技集团第五十八研究所 研究主题:SRAM CMOS 亚阈值电流 静态功耗 IP核 李靖 作品数:230 被引量:20 H指数:3 供职机构:电子科技大学 研究主题:模拟集成电路 模数转换器 采样 模拟数字转换 电容