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2025年7月1日星期二

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基于半导体二维电子气的霍尔传感器及其制备方法: 本公开提供了基于半导体二维电子气的霍尔传感器及其制备方法，涉及半导体传感器技术领域。基于半导体二维电子气的霍尔传感器，包括：(Al,Ga)Sb/InAs/AlSb半导体异质结，包括依次层叠的(Al,Ga)Sb势垒层、In...; 赵建华王海龙韩荣坤魏其其

使用二维电子气的晶体管结构的衬底偏置: 提供了一种晶体管结构，包括偏置衬底。该晶体管结构包括：势垒半导体层；以及沟道半导体层，该沟道半导体层紧邻势垒半导体层下方，以与势垒半导体层形成异质结界面，异质结在沟道半导体层内诱导出二维电子气(2DEG)。半导体衬底位于...; 伊曼·阿卜达利·马什哈迪穆罕默德·巴扎吉维内特·乌尼托马斯·威廉·麦塞尔威阿比南丹·海曼特·迪克西特马可·A·祖尼加

基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法: 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法，包括柔性基板，形成于柔性基板表面的金刚石衬底；沉积于金刚石衬底表面的AlN层；形成于金刚石衬底表面位于AlN层一端的阳极金...; 刘胜殷长帅张召富郭宇铮吴改张栋梁程春敏沈威东芳孙祥

用于使用二维电子气的晶体管的衬底偏置的单片式结构: 提供了一种集成电路的单片式实现，该集成电路包括功率晶体管和用于使功率晶体管的衬底发生偏置的偏置电路。例如，该集成电路包括半导体衬底；以及外延堆栈，该外延堆栈在半导体衬底上外延生长。功率晶体管使用外延堆栈的一部分，包括沟道...; 伊曼·阿卜达利·马什哈迪穆罕默德·巴扎吉维内特·乌尼托马斯·威廉·麦塞尔威阿比南丹·赫曼特·迪克西特马可·A·祖尼加

基于金刚石/氮化铝极化界面二维电子气效应的MOS-HEMT器件及其制备方法: 本发明涉及集成电路制造的技术领域，具体涉及一种基于金刚石/氮化铝极化界面二维电子气效应的MOS‑HEMT器件及其制备方法，包括：形成于柔性基板的金刚石衬底；沉积于所述金刚石衬底表面的AlN层；沉积于所述AlN层表面的栅氧...; 刘胜张召富郭宇铮吴改殷长帅张栋梁程春敏沈威东芳孙祥

高灵敏二维电子气沟道结构磁传感矩阵芯片及制作方法: 高灵敏二维电子气沟道结构磁传感矩阵芯片及制作方法，属于半导体器件技术领域，移位寄存器依次连接磁传感矩阵、后端接口电路；所述磁传感矩阵包括若干矩阵元，所述矩阵元：在衬底上依次生长缓冲层、沟道层和势垒层组成的二维电子气沟道材...; 黄火林丁喃喃代建勋马凯鸣黄辉陶鹏程刘艳红覃开蓉

一种利用二维电子气导电的新型GaN纵向器件: 本发明属于半导体功率器件领域，涉及一种氮化镓(GaN)纵向器件，具体提供了一种利用异质结界面的二维电子气进行导电的纵向高电子迁移率晶体管。本发明提出的GaN纵向器件，区别于以往只能主要利用迁移率较低的体电子进行纵向导电的...; 程骏骥黄涛付晓君刘一锴吴昊杨洪强

氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构及制备方法: 本发明公开了一种氮化镓二维电子气沟道侧壁自旋注入信息器件结构及制备方法，属于半导体信息器件技术领域。其结构包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、铁磁层、C1电极层、C2电极层、钝化层和电极窗口。其制备方法包括：衬底准备；外...; 黄火林

一种多环二维电子气发射的垂直真空三极管: 本发明属于真空电子器件技术领域，涉及一种多环二维电子气发射的垂直真空三极管，所述垂直真空三极管内设置有真空沟道区域；在真空沟道区域构造出多环二维电子气发射结构。当在垂直真空三极管的中间部位预制两个环形槽时，多环二维电子气...; 吴胜利唐文华甘露赵源李洁

基于异质结二维电子气的双栅LDMOS器件及制造方法: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种基于异质结二维电子气的双栅LDMOS器件及制造方法。所述器件包括：衬底、漂移区、体区、源区及漏区，还包括：超晶格薄层、栅氧化层、正栅极及背栅极。超晶格薄层形成于衬底的上表面，漂移区和体区...; 赵东艳刘芳吴波郭乾文张睿邓永峰

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郝跃: 作品数：2,605被引量：1,235H指数：13; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：势垒层电极场板高电子迁移率晶体管氮化镓

张宝顺: 作品数：524被引量：203H指数：7; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 研究主题：二维电子气电极 HEMT器件衬底半导体

蔡勇: 作品数：146被引量：24H指数：3; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 研究主题：二维电子气 HEMT器件氮化物半导体表面介质层

于国浩: 作品数：122被引量：40H指数：4; 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 研究主题：二维电子气 HEMT器件氮化物增强型半导体表面

张进成: 作品数：1,037被引量：119H指数：6; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：SUB 成核势垒层氮化镓电极